中芯國(guó)際今日回復(fù)投資者問(wèn)詢(xún)時(shí)透露，今年計(jì)劃擴(kuò)建1萬(wàn)片成熟12英寸(300mm)、4.5萬(wàn)片8英寸(200mm)晶圓的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足更多的客戶(hù)需求。

中芯國(guó)際受美國(guó)限制以來(lái)，技術(shù)、產(chǎn)能、供需問(wèn)題一直備受關(guān)注，而如此大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)，表明中芯國(guó)際并不存在沒(méi)客戶(hù)、沒(méi)需求的問(wèn)題，尤其是在當(dāng)今全球半導(dǎo)體供應(yīng)緊張的情況下。

當(dāng)然，先進(jìn)工藝技術(shù)依然暫時(shí)無(wú)解，中芯國(guó)際此次擴(kuò)產(chǎn)，必然也是成熟工藝。

今年7月份的時(shí)候，中芯國(guó)際曾經(jīng)透露，一季度整體產(chǎn)能利用率高達(dá)98.7％。

而位于紹興的中芯紹興，產(chǎn)能已經(jīng)爬坡到7萬(wàn)片晶圓/月，量產(chǎn)達(dá)到99％。

FinFET先進(jìn)工藝方面，中芯國(guó)際第一代已經(jīng)進(jìn)入成熟量產(chǎn)階段，產(chǎn)品良率達(dá)到業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，多個(gè)衍生平臺(tái)開(kāi)發(fā)按計(jì)劃進(jìn)行，穩(wěn)步導(dǎo)入NTO，正在實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的多樣化目標(biāo)。

第二代FinFET技術(shù)單位面積晶體管密度大幅提高，已經(jīng)完成低電壓工藝開(kāi)發(fā)，進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。