弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所的科學(xué)家們現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)出一種創(chuàng)新的高壓CMOS背板，并可以實現(xiàn)異常明亮的微顯示器。

諸如AR眼鏡和VR頭顯等都能受益于Micro OLED顯示器的圖像質(zhì)量和高亮度。

保持長壽命的同時提高亮度的常用方法是使用多個堆疊的OLED。但堆疊OLED層會增加整個結(jié)構(gòu)的電壓降和電壓擺幅，并對背板技術(shù)提出了高要求。

通過創(chuàng)新設(shè)計，弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所的科學(xué)家們現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)出一種創(chuàng)新的高壓CMOS背板，并可以實現(xiàn)異常明亮的微顯示器。

團隊指出：“我們開發(fā)出一種創(chuàng)新的設(shè)計，允許超過10伏的電壓擺幅。根據(jù)堆疊單元的數(shù)量，可以在保持恒定電流密度的同時實現(xiàn)高電流效率的最大發(fā)射倍數(shù)。這種方法可以實現(xiàn)超過10,000 cd/m2的全彩色最大亮度，同時保持壽命和可靠性?！?/span>

與LED相比，OLED 技術(shù)在多個方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：

成熟度：OLED技術(shù)已達到較高的成熟水平，市場已有眾多成熟產(chǎn)品。

電流密度：OLED在典型工作狀態(tài)下的電流密度低于100 mA/cm2，具有更高的效率和更長的使用壽命。相比之下，MicroLED需要超過1A/cm2的電流密度，導(dǎo)致效率大幅下降。

亮度：通過多層堆疊OLED 技術(shù)，亮度可提升至超過10,000 cd/m2，進一步拓展了其在明亮環(huán)境中的應(yīng)用可能性。

綜上所述，OLED技術(shù)在成熟度、效率和色彩表現(xiàn)力方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，而MicroLED依然需在技術(shù)方面取得突破。

如今，通過在高壓CMOS背板應(yīng)用多層堆疊的OLED技術(shù)，亮度可以提升至約10,000 cd/m2，從而為超高亮度OLED微型顯示器的市場推廣帶來全新的機遇。